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2D Materialien für monolithische 3D-AI-Berechnungen
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2D Materialien für monolithische 3D-AI-Berechnungen

17 Sep 202611:30 - 13:05SunnyvaleEnglishOpen
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Beschreibung

Region San Francisco Bay IEEE Nanotechnology Council 2020, 2017 & 2014 Ausgezeichnetes Kapitel des Nanotechnology Council (weltweit) 2019, 2016 & 2014 Ausgezeichnetes Kapitel der IEEE (Westen der USA) 2019, 2016 Ausgezeichnetes Kapitel der IEEE (Santa Clara Valley) http://sites.ieee.org/sfbanano Intelligenz im Maßstab des Gehirns mit Technologien im Atommaßstab: Von 2D Materialien zu monolithischen 3D-AI-Berechnungen Dr. Xuejun Xie Gründer und CEO PhantaField Inc., Persönliches Treffen Donnerstag, 17. September 2026 11:30 Uhr: Networking, Pizza & Getränke Mittag – 13 Uhr: Seminar Bitte melden Sie sich vor 9:30 Uhr am Donnerstag, den 17. September 2026, auf Eventbrite an Walk-In-Besucher sind willkommen, aber nicht empfohlen (Bargeld oder Scheck; keine Kreditkarten) Bitte helfen Sie uns bei der Planung unserer Veranstaltung! Wenn Sie sich entscheiden, nicht teilzunehmen... - bitte stornieren Sie Ihre Reservierungen bis 8:00 Uhr am Donnerstag, ** Tickets, die bis 8 Uhr am 17. September 2026 stornierte werden, erhalten eine Rückerstattung der Zahlungen *** Hinweis: Eventbrite-Gebühren werden nicht zurückerstattet Informationen zur Anmeldung am Tag der Veranstaltung: Bitte seien Sie vorbereitet, einen Lichtbildausweis vorzuzeigen, wenn Sie das EAG betreten und sich für das Seminar anmelden. (Führerschein oder ein anderes amtliches Ausweisdokument). Die Anmeldedaten umfassen jetzt auch die Staatsbürgerschaft der Teilnehmer. Standort: EAG Laboratories 810 Kifer Road, Sunnyvale ==> Nutzen Sie den Eingang an der Ecke: Kifer Road / San Lucar Court ==> Betreten Sie nicht den Haupteingang auf der Kifer Road (Parken: auf der Straße oder im Parkplatz hinter EAG) Intelligenz im Maßstab des Gehirns mit Technologien im Atommaßstab: Von 2D Materialien zu monolithischen 3D-AI-Berechnungen Zusammenfassung: Was wird möglich, wenn wir Computer vertikal skalieren, anstatt uns auf immer kleinere Transistoren zu verlassen? Dieser Vortrag stellt den Ansatz von PhantaField vor, die Materialtechnik auf atomarer Ebene mit der Architektur von AI-Chips zu verbinden – indem niedrigtemperatur-2D-Halbleiter eingesetzt werden, um Speicher und Berechnung näher zusammenzubringen. Der Vortrag beginnt mit NanoGalaxy, PhantaFields 12-Zoll-Plasma- und photonverstärkter metallorganischer chemischer Dampfbeschichtungs (MOCVD) Plattform. Entwickelt, um zweidimensionale Übergangsmetall-Dichalkogenide, einschließlich MoS₂, bei Temperaturen unter 450 °C zu züchten, kombiniert NanoGalaxy Plasmaaktivierung und in-situ Ultraviolettbeleuchtung, um das Wachstum bei niedrigen Temperaturen und die Fehlerkontrolle zu unterstützen. Wir werden erörtern, wie dieser Ansatz die thermischen Einschränkungen der Backend-Integration angeht und einen Weg zur Herstellung aufeinanderfolgender Schichten aktiver Geräte über bestehenden Schaltungen eröffnet. Dann werden wir Sophon vorstellen, PhantaFields monolithische 3D-AI-Beschleunigerarchitektur. Ihr Design mit 64 Ebenen verwebt Logik und Speicher über einer gereiften 28-nm-Siliziumbasis und zielt auf 330 GB eingebetteten DRAM und 2,1 PB/s lokale Gewichtsbandbreite ab. Durch die Verbindung von Materialien, Herstellung und Architektur wird die Präsentation die Anforderungen an die Geräteleistung, Integrationsherausforderungen und potenziellen systemischen Vorteile dieses Ansatzes untersuchen. Das zentrale Thema ist ein Weg zu Intelligenz im Maßstab des Gehirns durch Technologien im Atommaßstab - nicht einfach durch eine höhere elektrische Leistung, sondern durch eine Neugestaltung, wie Berechnung und Speicher gemeinsam aufgebaut werden. Lesen Sie mehr: Ein subthermionischer Tunnel-Feldeffekttransistor mit einem atomar dünnen KanalPhantaField PFG-1 Sophon Whitepaper Referentenbio: Dr. Xuejun Xie Gründer & CEO; PhantaField Inc. Dr. Xuejun Xie ist der Gründer und CEO von PhantaField Inc., wo er die Entwicklung von Technologien zum Wachstum von 2D-Halbleitern bei niedrigen Temperaturen und monolithischen 3D-AI-Berechnungsarchitekturen leitet. Er erwarb seinen Doktortitel in Elektrotechnik und Computertechnik an der University of California, Santa Barbara, wo seine Arbeit an atomar dünnen Geräten zur Entwicklung des ersten Tunnel-Feldeffekttransistors mit 2D-Kanal beitrug, der die thermionische Grenze von 60 mV/Dekade durchbrach, veröffentlicht in Nature. Er leitete auch die Demonstration eines 2D-memristiven Transistors bei Raumtemperatur mit optischer Kurzzeitplastizität – einem lichtempfindlichen neuromorphen Gerät, das auf einem MoS₂-Quantenpunkt-Supraleitglied basiert, das durch Elektronenstrahlbestrahlung gebildet wurde, präsentiert auf der IEDM 2017. Vor der Gründung von PhantaField war er als leitender Wissenschaftler bei IMT, jetzt Atomica, tätig. Seine Arbeit überbrückt Halbleitermaterialien, Geräte und Fertigung, mit einem Fokus darauf, atomarmaßstabliche Innovationen in skalierbare, energieeffiziente Berechnungen zu übersetzen. PhantaField wird von Prof. Chenming Hu beraten und unterstützt, dem Erfinder des FinFET und ehemaligen CTO von TSMC. Wenn Sie Fragen oder Probleme mit Ihrer Registrierung haben, wenden Sie sich bitte an [email protected] Bitte helfen Sie uns, unsere Veranstaltung zu planen. Wenn wir viele Walk-In-Teilnehmer haben, ist es schwierig für uns, die richtige Menge an Essen für das Mittagessen zu bestellen. ** Tickets, die bis 8 Uhr am 17. September storniert werden, erhalten eine Rückerstattung der Zahlungen*** Hinweis: Eventbrite-Gebühren werden nicht zurückerstattet Wenn es darum geht, die physische Struktur, chemischen Eigenschaften und die Leistung fortschrittlicher Materialien und integrierter Schaltungen zu verstehen, bietet kein anderes wissenschaftliches Dienstleistungsunternehmen die Breite an Erfahrung, Vielfalt analytischer Techniken oder technische Ingeniosität von EAG Laboratories. Wir bieten multidisziplinäre, problemlösende Expertise, um unseren Kunden zu helfen, Innovationen zu beschleunigen, Qualität und Sicherheit zu gewährleisten und geistiges Eigentum zu schützen.

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