2D Materials for Monolithic 3D AI Computing

Сан-Франциско, округ затоки, IEEE Nanotechnology Council 2020, 2017 та 2014 роки — Відзначений розділ Nanotechnology Council (в усьому світі) 2019, 2016 та 2014 роки — Відзначений розділ IEEE (Західні США) 2019, 2016 — Відзначений розділ IEEE (Долина Санта-Клари) http://sites.ieee.org/sfbanano Інтелект на рівні мозку з технологією на атомному рівні: від 2D матеріалів до монолітних 3D AI обчислень Доктор Сюжун Сі Засновник та генеральний директор PhantaField Inc., Особисті зустрічі Четвер, 17 вересня 2026 року 11:30: мережеве спілкування, піца та напої Полудень -- 1 година: семінар Будь ласка, зареєструйтесь на Eventbrite до 9:30 ранку в четвер, 17 вересня 2026 року Відвідування без реєстрації вітається, але не рекомендується (готівкою або чеком; кредитні картки не приймаються) Допоможіть нам у плануванні заходу! Якщо ви вирішите не відвідувати... - будь ласка, скасуйте бронювання до 8:00 ранку в четвер, ** квитки, скасовані до 8:00 ранку 17 вересня 2026 року, будуть повернуті*** Зверніть увагу: Комісійні Eventbrite не повертаються Інформація про реєстрацію та підписку в день заходу: Будь ласка, будьте готові пред'явити посвідчення особи при вході до EAG і підписуючися на семінар. (Водійські права або інше державне посвідчення особи). Інформація про реєстрацію тепер також включає громадянство учасників. Місцезнаходження: EAG Laboratories 810 Kifer Road, Саннівейл ==> Використовуйте кутовий вхід: Kifer Road / San Lucar Court ==> Не входьте через головний вхід на Kifer Road (Паркування: на вулиці або на парковці за EAG) Інтелект на рівні мозку з технологією на атомному рівні: від 2D матеріалів до монолітних 3D AI обчислень Анотація: Що стає можливим, коли ми масштабуємо обчислення вертикально, а не покладаємося на дедалі менші транзистори? Ця доповідь представляє підхід PhantaField до з'єднання інженерії матеріалів на атомному рівні з архітектурою AI-чипів — використовуючи низькотемпературні двовимірні напівпровідники для зближення пам'яті та обчислень. Доповідь почнеться з NanoGalaxy, платформи PhantaField на основі металорганічного хімічного парового осадження (MOCVD) із 12-дюймовими плазмовими та фотонними покращеннями. Розроблена для вирощування двовимірних діхалькогенідів перехідних металів, включно з MoS₂, при температурах нижче 450 °C, NanoGalaxy поєднує активацію плазми та ін-сіту ультрафіолетове освітлення, щоб підтримати низькотемпературне зростання та контроль дефектів. Ми обговоримо, як цей підхід вирішує термічні обмеження інтеграції заднього кінця лінійки і відкриває шлях до створення наступних шарів активних пристроїв над існуючими схемами. Потім ми представимо Sophon, монолітну архітектуру 3D AI-акселерів PhantaField. Її 64-шарова референсна конструкція переплітає логіку і пам'ять над зрілою кремнієвою основою 28 нм, націлюючись на 330 ГБ вбудованої DRAM і 2.1 ПБ/с місцевої ваги пропускної здатності. З'єднуючи матеріали, виробництво та архітектуру, презентація розгляне вимоги до продуктивності пристроїв, виклики інтеграції та потенційні системні переваги цього підходу. Центральною темою є шлях до інтелекту на рівні мозку через технології на атомному рівні — не просто за рахунок збільшення електричного струму, але й за рахунок переосмислення того, як обчислення та пам'ять будуються разом. Читати далі: Субтерміонний тунельний полевий транзистор з атомно тонким каналомPhantaField PFG-1 Sophon Whitepaper Біографія спікера: Доктор Сюжун Сі Засновник і генеральний директор; PhantaField Inc. Доктор Сюжун Сі є засновником та генеральним директором PhantaField Inc., де він керує розвитком технології вирощування низькотемпературних 2D напівпровідників та монолітних архітектур 3D AI обчислень. Він отримав ступінь доктора філософії з електротехніки та комп'ютерних технологій в Університеті Каліфорнії, Санта-Барбара, де його робота над атомно тонкими пристроями допомогла створити перший тунельний полевий транзистор з 2D-каналом, який подолав терміонний межа 60 мВ/декаду, опублікований у Nature. Він також керував демонстрацією транзистора з 2D мемристором при кімнатній температурі зі світловою короткочасною пластичністю — світлочутливий нейроморфний пристрій, створений на основі квантової точки MoS₂, сформованої електронно-променевим опроміненням, представлено на IEDM 2017. Перед заснуванням PhantaField він працював старшим науковцем в IMT, тепер Atomica. Його робота поєднує матеріали напівпровідників, пристрої і виробництво з акцентом на внесення атомно-структурних інновацій в масштабовані, енергоефективні обчислення. PhantaField має підтримку та консультації професора Ченмінга Ху, винахідника FinFET та колишнього CTO TSMC. Якщо у вас є питання або проблеми з реєстрацією, будь ласка, зв'яжіться з [email protected] Будь ласка, допоможіть нам управляти плануванням заходу. Коли у нас багато учасників без реєстрації, нам важко замовити потрібну кількість їжі на обід. ** Квитки, скасовані до 8:00 ранку 17 вересня, будуть повернуті*** Зверніть увагу: Комісійні Eventbrite не повертаються Коли справа доходить до розуміння фізичної структури, хімічних властивостей і продуктивності сучасних матеріалів і інтегрованих схем, жодна інша компанія наукових послуг не пропонує такої широти досвіду, різноманітності аналітичних технік або технічного генію, як EAG Laboratories. Ми надаємо багатопрофільну, експертизу у вирішенні проблем для допомоги нашим клієнтам прискорити інновації, забезпечити якість і безпеку, а також захистити інтелектуальну власність.