Materiały 2D do monolitycznego obliczania AI 3D

Obszar Zatoki San Francisco Rada Nanotechnologii IEEE 2020, 2017 i 2014 Nadzwyczajne Rozdziały Rady Nanotechnologii (na całym świecie) 2019, 2016 i 2014 Nadzwyczajne Rozdziały IEEE (Zachodnie USA) 2019, 2016 Nadzwyczajne Rozdziały IEEE (Dolina Santa Clara) http://sites.ieee.org/sfbanano Inteligencja na poziomie mózgu z technologią na poziomie atomowym: Od materiałów 2D do monolitycznego obliczania AI 3D Dr Xuejun Xie Założyciel i dyrektor generalny PhantaField Inc., Spotkanie na żywo Czwartek, 17 września 2026 11:30: Networking, pizza i napoje 12:00 -- 13:00: Seminarium Proszę zarejestrować się na Eventbrite przed 9:30 w czwartek, 17 września 2026 Obecność bez wcześniejszej rejestracji jest mile widziana, ale niezalecana (gotówka lub czek; brak kart kredytowych) Prosimy o pomoc w planowaniu naszego wydarzenia! Jeśli zdecydujesz się nie uczestniczyć... - proszę anulować rezerwacje do 8:00 w czwartek, ** Bilety anulowane do 8:00 17 września 2026 będą miały zwrócone płatności*** Uwaga: Opłaty Eventbrite nie będą zwracane Informacje o rejestracji i potwierdzeniu obecności w dniu wydarzenia: Proszę być gotowym do okazania dowodu tożsamości ze zdjęciem przy wejściu do EAG i rejestracji na seminarium. (Prawo jazdy lub inny dokument wydany przez rząd). Informacje o rejestracji obejmują teraz również obywatelstwo uczestników. Lokalizacja: EAG Laboratories 810 Kifer Road, Sunnyvale ==> Użyj wejścia w rogu: Kifer Road / San Lucar Court ==> Nie wchodź głównym wejściem na Kifer Road (Parking: na ulicy lub na parkingu za EAG) Inteligencja na poziomie mózgu z technologią na poziomie atomowym: Od materiałów 2D do monolitycznego obliczania AI 3D Streszczenie: Co staje się możliwe, gdy skalujemy obliczenia pionowo, zamiast polegać na coraz mniejszych tranzystorach? To wystąpienie przedstawia podejście PhantaField do łączenia inżynierii materiałów na poziomie atomowym z architekturą chipów AI — wykorzystując niskotemperaturowe półprzewodniki dwu wymiarowe, aby zbliżyć pamięć i obliczenia. Prezentacja zaczyna się od NanoGalaxy, 12-calowej platformy depozycji chemicznej w fazie pary wzbogaconej plazmą i fotonami (MOCVD) firmy PhantaField. Zaprojektowana do hodowli dwuwymiarowych dichalkogenków metali przejściowych, w tym MoS₂, w temperaturach poniżej 450 °C, NanoGalaxy łączy aktywację plazmową i in-situ naświetlanie ultrafioletowe, aby wspierać wzrost w niskich temperaturach oraz kontrolę defektów. Omówimy, jak to podejście adresuje termiczne ograniczenia integracji linii tylnych i otwiera drogę do budowania kolejnych warstw aktywnych urządzeń ponad istniejącą elektroniką. Następnie przedstawimy Sophon, monolityczną architekturę akceleratora AI 3D firmy PhantaField. Jej wzornictwo referencyjne o 64 warstwach przeplata logikę i pamięć nad dojrzałą podstawą krzemową 28 nm, celując w 330 GB wbudowanej DRAM i 2,1 PB/s lokalnej przepustowości wagowej. Łącząc materiały, produkcję i architekturę, prezentacja zbada wymagania dotyczące wydajności urządzeń, wyzwania integracyjne oraz potencjalne korzyści na poziomie systemu z tego podejścia. Głównym tematem jest droga do inteligencji na poziomie mózgu poprzez technologię na poziomie atomowym — nie tylko poprzez zwiększanie mocy prądu, ale poprzez przemyślenie sposobu, w jaki obliczenia i pamięć są budowane razem. Dowiedz się więcej: Subtermionowy tranzystor tunelowy z atomowo cienkim kanałemPhantaField PFG-1 Sophon Biała Księga Biografia prelegenta: Dr Xuejun Xie Założyciel i dyrektor generalny; PhantaField Inc. Dr Xuejun Xie jest założycielem i dyrektorem generalnym PhantaField Inc., gdzie kieruje rozwojem technologii wzrostu półprzewodników 2D w niskich temperaturach oraz monolitycznych architektur obliczeniowych AI 3D. Uzyskał doktorat z inżynierii elektrycznej i komputerowej na Uniwersytecie Kalifornijskim w Santa Barbara, gdzie jego prace nad atomowo cienkimi urządzeniami przyczyniły się do powstania pierwszego tranzystora tunelowego z kanałem 2D, który przełamał 60 mV/decadę limit termionowy, opublikowanego w Nature. Prowadził również demonstrację tranzystora memristywnego 2D w temperaturze pokojowej z optyczną plastycznością krótkoterminową — wrażliwego na światło urządzenia neuromorficznego, zbudowanego na superlatysie kropek kwantowych MoS₂, utworzonego przez naświetlanie promieniowaniem elektronowym — zaprezentowanego na IEDM 2017. Przed założeniem PhantaField pracował jako starszy naukowiec w IMT, teraz Atomica. Jego prace łączą materiały półprzewodnikowe, urządzenia i produkcję, koncentrując się na przekształceniu innowacji na poziomie atomowym w przystępne, energooszczędne obliczenia. PhantaField jest doradzany i wspierany przez prof. Chenming Hu, twórcę FinFET i byłego CTO TSMC. Jeśli masz pytania lub problemy z rejestracją, skontaktuj się z [email protected] Proszę pomóc nam w zarządzaniu planowaniem naszego wydarzenia. Gdy mamy wielu uczestników bez wcześniejszej rejestracji, trudno jest nam zamówić odpowiednią ilość jedzenia na lunch. ** Bilety anulowane do 8 AM 17 września, będą miały zwrócone płatności*** Uwaga: Opłaty Eventbrite nie będą zwracane Jeśli chodzi o zrozumienie struktury fizycznej, właściwości chemicznych i wydajności zaawansowanych materiałów oraz zintegrowanych układów scalonych, żadna inna firma oferująca usługi naukowe nie ma takiej różnorodności doświadczenia, analitycznych technik czy technicznej pomysłowości jak EAG Laboratories. Oferujemy wielodyscyplinarne, rozwiązujące problemy doświadczenie, aby pomóc naszym klientom przyspieszyć innowacje, zapewnić jakość i bezpieczeństwo oraz chronić własność intelektualną.